參數(shù)資料
型號： APTGF50H60T1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP1, 12 PIN
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 315K
代理商： APTGF50H60T1G
APTGF50H60T1G
APTG
F50H60T1G
–
Re
v0
Augus
t,2007
www.microsemi.com
1 – 6
Q3
Q4
1
2
9
Q2
Q1
6
4
11
8
10
12
CR2
CR1
3
7
5
NTC
CR4
CR3
Pins 3/4 must be shorted together
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC = 25°C
65*
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
50*
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
230
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
250
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 125°C
100A @ 500V
* Specification of IGBT device but output current must be limited to 40A to not exceed a delta of temperature greater
than 35°C for the connectors.
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed. See application note
APT0502 on www.microsemi.com
Application
Welding converters
Switched Mode Power Supplies
Uninterruptible Power Supplies
Motor control
Features
Non Punch Through (NPT) Fast IGBT
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 100 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
RBSOA and SCSOA rated
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
Internal thermistor for temperature monitoring
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency operation
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Solderable terminals both for power and signal for
easy PCB mounting
Low profile
Each leg can be easily paralleled to achieve a phase
leg of twice the current capability
RoHS Compliant
Full - Bridge
NPT IGBT Power Module
VCES = 600V
IC = 50A* @ Tc = 80°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50SK120T1G 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50SK120T 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50SK120T 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50TL60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF50VDA60T3G 65 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF50H60T2G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50H60T3G 功能描述:POWER MODULE IGBT 600V 50A SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50SK120T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF50SK120T1G 功能描述:IGBT 1200V 75A 312W SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF50SK120TG 功能描述:IGBT 1200V 75A 312W SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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