參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF50A120T
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg NPT IGBT Power Module
中文描述： 腿不擴(kuò)散核武器條約相IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 303K
代理商： APTGF50A120T
APTGF50A120T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
V
GE
= 15V
25
30
35
40
45
0
25
50
75
100
125
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Turn-On Delay Time vs Collector Current
V
CE
= 600V
R
G
= 5
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
200
250
300
350
400
0
25
50
75
100
125
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
V
CE
= 600V
R
G
= 5
V
GE
=15V
20
60
100
140
180
0
25
50
75
100
125
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Rise Time vs Collector Current
V
CE
= 600V
R
G
= 5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Fall Time vs Collector Current
V
CE
= 600V, V
GE
= 15V, R
G
= 5
T
J
=25°C,
V
GE
=15V
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
0
4
8
12
16
20
24
28
0
25
50
75
100
125
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
E
V
CE
= 600V
R
G
= 5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
0
2
4
6
8
0
25
50
75
100
125
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
E
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 5
Eon, 50A
Eoff, 50A
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
10
20
30
40
50
Gate Resistance (Ohms)
S
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
Eon, 50A
Eoff, 50A
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
2
4
6
8
0
25
T
J
, Junction Temperature (°C)
50
75
100
125
S
Switching Energy Losses vs Junction Temp.
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50DH120T Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
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APTGF50DA120CT1G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR
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