參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF50A120T
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg NPT IGBT Power Module
中文描述： 腿不擴(kuò)散核武器條約相IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 303K
代理商： APTGF50A120T
APTGF50A120T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 6
All ratings @ T
j
= 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
BV
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Test Conditions
V
GE
= 0V, I
C
= 500 μA
V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V
V
GE
=15V
I
C
= 50A
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1 mA
V
GE
= ±20 V, V
CE
= 0V
Min
1200
4.5
Typ
3.2
4.0
Max
500
2500
3.7
6.5
100
Unit
V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
I
CES
Zero Gate Voltage Collector Current
μA
V
CE(on)
Collector Emitter on Voltage
V
V
GE(th)
I
GES
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
C
ies
Input Capacitance
C
oes
Output Capacitance
C
res
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Total gate Charge
Q
ge
Gate – Emitter Charge
Q
gc
Gate – Collector Charge
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
E
off
Turn-off Switching Energy
T
d(on)
Turn-on Delay Time
T
r
Rise Time
T
d(off)
Turn-off Delay Time
T
f
Fall Time
E
on
Turn-on Switching Energy
E
off
Turn-off Switching Energy
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
I
F(AV)
Maximum Average Forward Current
Gate Threshold Voltage
Gate – Emitter Leakage Current
V
nA
Test Conditions
V
GE
= 0V
V
CE
= 25V
f = 1MHz
Min
Typ
3450
330
220
330
35
200
35
65
320
30
5.4
2.3
35
65
360
40
6.9
3.05
Max
Unit
pF
V
GS
= 15V
V
Bus
= 600V
I
C
= 50A
nC
ns
Inductive Switching (25°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 5
mJ
ns
Inductive Switching (125°C)
V
GE
= 15V
V
Bus
= 600V
I
C
= 50A
R
G
= 5
mJ
Test Conditions
50% duty cycle
I
F
= 60A
I
F
= 120A
I
F
= 60A
I
F
= 60A
V
R
= 800V
di/dt =400A/μs
I
F
= 60A
V
R
= 800V
di/dt =400A/μs
Min
Typ
60
2.0
2.3
1.8
370
Max
2.5
Unit
A
Tc = 70°C
V
F
Diode Forward Voltage
T
j
= 125°C
V
T
j
= 25°C
t
rr
Reverse Recovery Time
T
j
= 125°C
500
ns
T
j
= 25°C
1320
Q
rr
Reverse Recovery Charge
T
j
= 125°C
6900
nC
E
on
includes diode reverse recovery
In accordance with JEDEC standard JESD24-1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50DH120T Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
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APTGF50X120E3 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
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APTGF50A120T3WG 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Phase leg NPT IGBT Power Module
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APTGF50DA120CT1G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR
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