參數(shù)資料
型號： APTGF50A120T
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Phase leg NPT IGBT Power Module
中文描述： 腿不擴散核武器條約相IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 303K
代理商： APTGF50A120T
APTGF50A120T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (V
GE
=15V)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
40
80
120
160
200
0
2
4
6
8
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (V
GE
=10V)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
10
20
30
40
50
0
1
2
3
4
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
50
100
150
200
250
300
0
4
8
12
16
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
I
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
V
CE
=240V
V
CE
=600V
V
CE
=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate Charge (nC)
V
G
,
I
C
= 50A
T
J
= 25°C
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
9
C
,
T
J
= 25°C
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
1
2
3
4
5
6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
, Junction Temperature (°C)
V
C
,
On state Voltage vs Junction Temperature
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
V
GE
= 15V
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
-50
-25
T
J
, Junction Temperature (°C)
0
25
50
75
100
125
C
(
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
C
, Case Temperature (°C)
I
DC Collector Current vs Case Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF50DH120T Asymmetrical - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF50SK120T Buck chopper NPT IGBT Power Module
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參數(shù)描述
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APTGF50DA120CT1G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - SIC - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR
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