參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF25X120T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 228K
代理商： APTGF25X120T3G
APTGF25X120T3G
APT
G
F25X120T
3G
–
Rev
0
July,
2007
www.microsemi.com
5- 6
VGE = 15V
50
55
60
65
70
75
5
152535
45
55
ICE, Collector to Emitter Current (A)
td
(o
n)
,T
u
rn
-O
n
D
e
la
y
Tim
e
(
n
s
)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 22
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
200
250
300
350
400
5
1525
3545
55
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
td(o
ff),
T
u
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a
y
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im
e
(ns
)
VCE = 600V
RG = 22
VGE=15V
0
40
80
120
160
5
15
2535
4555
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tr
,
Ri
se
Ti
m
e
(ns)
Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 600V
RG = 22
TJ = 25°C
TJ = 125°C
20
25
30
35
40
45
50
5
1525
354555
ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,
F
a
ll
T
im
e
(
n
s
)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 600V, VGE = 15V, RG = 22
TJ=25°C,
VGE=15V
TJ=125°C,
VGE=15V
0
2
4
6
8
10
5
1525
3545
55
ICE, Collector to Emitter Current (A)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
Eo
n,
T
u
rn
-O
n
E
n
e
rgy
Lo
s
(
m
J
)
VCE = 600V
RG = 22
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
1
2
3
4
5
1525
354555
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
o
ff
,Tu
rn
-off
En
erg
y
L
o
ss
(m
J)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 22
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
1
2
3
4
5
0
1020
30
40
5060
Gate Resistance (Ohms)
S
w
it
chi
n
g
E
n
ergy
Losses
(mJ)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
VCE = 600V
VGE = 15V
TJ= 125°C
0
10
20
30
40
50
60
0
400
800
1200
I C
,
C
o
lle
c
to
rC
u
rr
e
n
t(
A
)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF300A120D3G IGBT
APTGF300DA120G 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF300DU120 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF300DU120 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF300SK120D3G IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APTGF300A120AG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF300A120D3G 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGF300A120T6G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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