參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF25DSK120T3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module
中文描述： 雙降壓斬波器不擴(kuò)散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大小： 328K
代理商： APTGF25DSK120T3
APTGF25DSK120T3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
5 - 6
V
GE
= 15V
50
55
60
65
70
75
5
15
25
35
45
55
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Turn-On Delay Time vs Collector Current
V
CE
= 600V
R
G
= 22
V
GE
=15V,
T
J
=25°C
V
GE
=15V,
T
J
=125°C
200
250
300
350
400
5
15
25
35
45
55
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
Turn-Off Delay Time vs Collector Current
V
CE
= 600V
R
G
= 22
V
GE
=15V
0
40
80
120
160
5
15
25
35
45
55
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Rise Time vs Collector Current
V
CE
= 600V
R
G
= 22
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
20
25
30
35
40
45
50
5
15
25
35
45
55
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
t
Current Fall Time vs Collector Current
V
CE
= 600V, V
GE
= 15V, R
G
= 22
T
J
=25°C,
V
GE
=15V
T
J
=125°C,
V
GE
=15V
0
2
4
6
8
10
5
15
25
35
45
55
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
E
V
CE
= 600V
R
G
= 22
J
= 25°C
J
= 125°C
0
1
2
3
4
5
15
25
35
45
55
I
CE
, Collector to Emitter Current (A)
E Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
R
G
= 22
Eon, 25A
Eoff, 25A
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
40
50
60
Gate Resistance (Ohms)
S
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
V
CE
= 600V
V
GE
= 15V
T
J
= 125°C
0
10
20
30
40
50
60
0
400
800
1200
I
C
,
Minimum Switching Safe Operating Area
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF25H120T3 Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF300A120 Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF300DU120 Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF300U120D Single Switch with Series diodes NPT IGBT Power Module
APTGF300U60D4 Single switch NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF25DSK120T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT DL BCK CHOP SP3 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF25H120T1G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP1 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF25H120T2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 1200V 40V SP2
APTGF25H120T3 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF25H120T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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