參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF300U120D
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Single Switch with Series diodes NPT IGBT Power Module
中文描述： 單系列開(kāi)關(guān)二極管和IGBT功率模塊不擴(kuò)散核武器條約
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 273K
代理商： APTGF300U120D
APTGF300U120D
A
APT website – http://www.advancedpower.com
1 – 5
Absolute maximum ratings
Symbol
V
CES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
Parameter
Max ratings
1200
400
300
800
±20
2080
600A @ 1200V
Unit
V
T
c
= 25°C
T
c
= 80°C
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
T
j
= 150°C
I
C
Continuous Collector Current
I
CM
V
GE
P
D
RBSOA
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
Pulsed Collector Current
Gate – Emitter Voltage
Maximum Power Dissipation
Reverse Bias Safe Operating Area
A
V
W
CK
EK
G
E
C
C
CK
E
G
EK
V
CES
= 1200V
I
C
= 300A @ Tc = 80°C
Application
Features
Zero Current Switching resonant mode
Non Punch Through (NPT) FAST IGBT
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 50 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
Kelvin emitter for easy drive
Very low stray inductance
-
Symmetrical design
-
M5 power connectors
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency
operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
Low profile
Single Switch
with Series diodes
NPT IGBT Power Module
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF300U60D4 Single switch NPT IGBT Power Module
APTGF30H60T3 Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF30X60BTP2 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF30X60E2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
APTGF30X60P2 3 Phase bridge NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF300U120DG 功能描述:IGBT 1200V 400A 1780W SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF300U60AG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF300U60D4 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Single switch NPT IGBT Power Module
APTGF300U60D4G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF30A60T1G 功能描述:IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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