參數(shù)資料
型號： APTGF25DDA120T3
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Dual Boost Chopper NPT IGBT Power Module
中文描述： 雙升壓斬波不擴散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 327K
代理商： APTGF25DDA120T3
APTGF25DDA120T3
A
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (V
GE
=15V)
J
T
J
=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
1
2
3
4
5
6
7
8
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (V
GE
=10V)
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
4
8
12
16
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
20
40
60
80
100
120
0
2.5
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
5
7.5
10
12.5
15
I
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
V
CE
=240V
V
CE
=600V
V
CE
=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
30
60
90
120
150
180
Gate Charge (nC)
V
G
,
I
C
= 25A
T
J
= 25°C
Ic=50A
Ic=25A
Ic=12.5A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
9
10
11
12
13
14
15
16
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
C
,
T
J
= 125°C
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=50A
Ic=25A
Ic=12.5A
0
1
2
3
4
5
6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
, Junction Temperature (°C)
V
C
, On state Voltage vs Junction Temperature
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
GE
= 15V
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
-50
-25
T
J
, Junction Temperature (°C)
0
25
50
75
100
125
C
(
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
T
C
, Case Temperature (°C)
I
DC Collector Current vs Case Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF25DSK120T3 Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF25H120T3 Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF300A120 Phase leg NPT IGBT Power Module
APTGF300DU120 Dual common source NPT IGBT Power Module
APTGF300U120D Single Switch with Series diodes NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF25DDA120T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT DL BST CHOP SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF25DSK120T3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Dual Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF25DSK120T3G 功能描述:IGBT MODULE NPT DL BCK CHOP SP3 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF25H120T1G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP1 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF25H120T2G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 1200V 40V SP2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*