參數(shù)資料
型號： APTGF180DU60T
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： Dual common source NPT IGBT Power Module
中文描述： 雙共源不擴散核武器條約IGBT功率模塊
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 311K
代理商： APTGF180DU60T
APTGF180DU60T
A
APT website – http://www.advancedpower.com
4 - 6
Typical Performance Curve
Output characteristics (V
GE
=15V)
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
100
200
300
400
500
600
0
1
2
3
4
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
100
200
300
400
500
600
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
I
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=360A
Ic=180A
Ic=90A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
6
8
10
12
14
16
V
GE
, Gate to Emitter Voltage (V)
C
,
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
T
J
= 25°C
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=360A
Ic=180A
Ic=90A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-50
-25
T
J
, Junction Temperature (°C)
0
25
50
75
100
125
V
C
,
On state Voltage vs Junction Temperature
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
V
GE
= 15V
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
, Junction Temperature (°C)
C
V
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
80
160
240
320
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
, Case Temperature (°C)
I
DC Collector Current vs Case Temperature
Gate Charge
V
CE
=120V
V
CE
=300V
V
CE
=480V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
100
200
300
400
500
600
700
Gate Charge (nC)
V
G
,
I
C
= 180A
T
J
= 25°C
Output Characteristics (V
GE
=10V)
T
J
=-55°C
T
J
=25°C
T
J
=125°C
0
100
200
300
400
500
600
0
1
2
3
4
I
V
CE
, Collector to Emitter Voltage (V)
250μs Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF180H60 Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF180SK60T Buck chopper NPT IGBT Power Module
APTGF200U120D Single Switch with Series diodes NPT IGBT Power Module
APTGF200U60D4 Single switch NPT IGBT Power Module
APTGF20X60BTP2 Input rectifier bridge + Brake + 3 Phase Bridge NPT IGBT Power Module
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APTGF180DU60TG 功能描述:IGBT MODULE NPT DUAL SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF180H60 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Full - Bridge NPT IGBT Power Module
APTGF180H60G 功能描述:POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP6 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APTGF180SK60D3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF180SK60T 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Buck chopper NPT IGBT Power Module
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