參數(shù)資料
型號： APTGF150H120
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 301K
代理商： APTGF150H120
APTGF150H120
A
PT
G
F1
50
H
12
0
–
R
ev
1
M
ar
ch
,2
00
4
APT website – http://www.advancedpower.com
2 - 5
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 2mA
1200
V
Tj = 25°C
0.2
3
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 1200V
Tj = 125°C
12
mA
Tj = 25°C
3.3
3.9
VCE(on) Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 150A
Tj = 125°C
4
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 5 mA
4.5
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
±500
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
Cies
Input Capacitance
10.5
Coes
Output Capacitance
1.5
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
0.8
nF
Td(on)
Turn-on Delay Time
70
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
500
Tf
Fall Time
30
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
8.5
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 150A
RG = 5
9
mJ
Reverse diode ratings and characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max Unit
IF(AV)
Maximum Average Forward Current
50% duty cycle
Tc = 85°C
125
A
IF = 150A
2.2
2.5
IF = 200A
2.4
VF
Diode Forward Voltage
IF = 200A
Tj = 150°C
2.2
V
Tj = 25°C
6.5
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 150A
Tj = 125°C
20
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF150H120 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150X60TE3 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF150X60TE3 225 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF15H120T3 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF15H120T3 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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APTGF150X60E3G 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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