參數(shù)資料
型號: APTGF100A120T
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-12
文件頁數(shù): 6/6頁
文件大小: 299K
代理商: APTGF100A120T
APTGF100A120T
A
PT
G
F100A
120T
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
6- 6
Cies
Cres
Coes
100
1000
10000
0
102030
4050
C,
Cap
aci
tan
ce
(p
F
)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0
50
100
150
200
250
300
350
0
400
800
1200
I C
,C
o
lle
ct
o
rC
u
rr
en
t(
A
)
Minimum Switching Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.35
0.25
0.15
0.05
0.025
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
I
m
pe
da
nc
e
C
/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0
10
20
30
40
50
60
70
10
30
50
70
90
110
IC, Collector Current (A)
Operating Frequency vs Collector Current
F
m
ax,
O
p
erati
n
g
F
req
u
en
cy
(kHz
)
VCE = 600V
D = 50%
RG = 2.5
TJ = 125°C
APT reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
APT's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
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APTGF100DA120TG 功能描述:IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B