參數(shù)資料
型號(hào)： APTGF100A120T
廠(chǎng)商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-12
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 299K
代理商： APTGF100A120T
APTGF100A120T
A
PT
G
F100A
120T
–
R
ev
1
M
ar
ch,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
3- 6
Thermal and package characteristics
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
IGBT
0.22
RthJC
Junction to Case
Diode
0.32
°C/W
VISOL
RMS Isolation Voltage, any terminal to case t =1 min,
I isol<1mA, 50/60Hz
2500
V
TJ
Operating junction temperature range
-40
150
TSTG
Storage Temperature Range
-40
125
TC
Operating Case Temperature
-40
100
°C
Torque Mounting torque
To heatsink
M5
4.7
N.m
Wt
Package Weight
160
g
Temperature sensor NTC
Symbol Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
R25
Resistance @ 25°C
68
k
W
B 25/85
T25 = 298.16 K
4080
K
ú
ù
ê
é
÷÷
è
-
=
T
B
R
T
1
exp
25
85
/
25
Package outline
T: Thermistor temperature
RT: Thermistor value at T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APTGF100DU120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100DU120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100SK120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100SK120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF10X120E2 15 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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APTGF100A120TG 功能描述:POWER MOD IGBT NPT PHASE LEG SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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APTGF100DA120TG 功能描述:IGBT NPT BOOST CHOP 1200V SP4 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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