參數(shù)資料
型號: APTCV50H60T3G
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù): 9/9頁
文件大小: 348K
代理商: APTCV50H60T3G
APTCV50H60T3G
A
P
T
C
V50H
60
T
3G
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
9-9
TJ=25°C
TJ=150°C
1
10
100
1000
0.30.5
0.70.9
1.11.3
1.5
VSD, Source to Drain Voltage (V)
I DR
,Re
ver
se
Dr
ai
n
Cu
rr
en
t(A)
Source to Drain Diode Forward Voltage
Delay Times vs Current
td(on)
td(off)
0
20
40
60
80
100
120
140
0
10 2030 4050 60 7080
ID, Drain Current (A)
t d(o
n
)an
d
t
d(
of
f)(n
s)
VDS=400V
RG=5
TJ=125°C
L=100H
Rise and Fall times vs Current
tr
tf
0
10
20
30
40
50
60
70
0
1020
3040
5060
7080
ID, Drain Current (A)
t r
an
d
t
f(n
s)
VDS=400V
RG=5
TJ=125°C
L=100H
Switching Energy vs Current
Eon
Eoff
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
1020 3040 5060 7080
ID, Drain Current (A)
Sw
it
ch
in
g
Ene
rgy
(
m
J)
VDS=400V
RG=5
TJ=125°C
L=100H
Eon
Eoff
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
1020
3040
50
Gate Resistance (Ohms)
Sw
it
ch
in
g
Ene
rgy
(
m
J)
Switching Energy vs Gate Resistance
VDS=400V
ID=50A
TJ=125°C
L=100H
hard
switching
ZCS
ZVS
0
50
100
150
200
250
300
5
1015 20 253035 40 4550
ID, Drain Current (A)
Fr
eq
ue
nc
y
(
kH
z)
Operating Frequency vs Drain Current
VDS=400V
D=50%
RG=5
TJ=125°C
TC=75°C
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
“COOLMOS comprise a new family of transistors developed by Infineon Technologies AG. “COOLMOS” is a trademark of Infineon
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5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
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PDF描述
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APTCV60HM70BT3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 50A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:升壓斬波器,全橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,50A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):3.15nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標準包裝:1