參數(shù)資料
型號： APTCV50H60T3G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 348K
代理商： APTCV50H60T3G
APTCV50H60T3G
A
P
T
C
V50H
60
T
3G
–
Re
v0
June
,2007
www.microsemi.com
5-9
5. SP3 Package outline (dimensions in mm)
17
12
28
1
See application note 1901 - Mounting Instructions for SP3 Power Modules on www.microsemi.com
6. Top switches curves
6.1 Top Trench + Field Stop IGBT typical performance curves
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
20
40
60
80
100
00.5
11.5
2
2.5
3
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=19V
VGE=9V
0
20
40
60
80
100
0
0.5
11.5
2
2.533.5
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 150°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
TJ=150°C
0
20
40
60
80
100
5
678
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
2040
6080
100
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 300V
VGE = 15V
RG = 8.2
TJ = 150°C
相關PDF資料
PDF描述
APTGF100A120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100A120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100DU120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100DU120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APTGF100SK120T 150 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
APTCV60HM45BC20T3G 功能描述:POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:- 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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