參數(shù)資料
型號(hào)： APT81H50B2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 81 A, 500 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AB
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 262K
代理商： APT81H50B2
Microsemi's products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522 5,262,336 6,503,786
5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
TO-264 (L) Package Outline
T-MAX (B2) Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
5.45 (.215) BSC
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Drain
Source
Gate
These dimensions are equal to the TO-247 without the mounting hole.
D
ra
in
2-Plcs.
19.51 (.768)
20.50 (.807)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
0.76 (.030)
1.30 (.051)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
0.48 (.019)
0.84 (.033)
Drain
Source
Gate
Dimensions in Millimeters and (Inches)
D
ra
in
2.29 (.090)
2.69 (.106)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
e3 100% Sn Plated
0.0166
0.0401
0.0525
0.0147
0.0330
0.479
Dissipated Power
(Watts)
TJ (°C)
TC (°C)
Z
EXT are the external thermal
impedances: Case to sink,
sink to ambient, etc. Set to
zero when modeling only
the case to junction.
Z
E
X
T
1ms
100ms
Rds(on)
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.05
D = 0.9
Scaling for Different Case & Junction
Temperatures:
I
D = ID(TC = 25°C)
*(T
J - TC)/125
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
t1 = Pulse Duration
DC line
100s
I
DM
10ms
13s
100s
I
DM
100ms
10ms
13s
Rds(on)
DC line
T
J = 150°C
T
C = 25°C
1ms
T
J = 125°C
T
C = 75°C
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
Figure 11, Transient Thermal Impedance Model
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9, Forward Safe Operating Area
Figure 10, Maximum Forward Safe Operating Area
I D
,DRAIN
CURRENT
(A)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
Figure 12. Maximum Effective Transient Thermal Impedance Junction-to-Case vs Pulse Duration
1
10
100
800
1
10
100
800
300
100
10
1
0.1
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
300
100
10
1
0.1
APT81H50B2_L
050-8142
Rev
A
6-2007
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT83GU30B 100 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT83GU30S 100 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT
APT83GU30BG 100 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT83GU30S 100 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT
APT83GU30B 100 A, 300 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT83GU30B 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT83GU30S 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT84F50B2 功能描述:MSOFET N-CH 500V 84A TO-247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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