參數(shù)資料
型號： APT80GP60B2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： B2, TMAX-3
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： APT80GP60B2
050-7425
Rev
B
10-2003
10
40
70
100
130
160
380
100
50
10
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
20,000
10,000
5,000
1,000
500
100
50
10
300
250
200
150
100
50
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector
Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 400V
RG = 5
Cies
Coes
APT80GP60B2
Cres
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.00791
0.0475
0.0656
0.00354F
0.0307F
0.361F
Power
(watts)
Junction
temp (
°C)
RC MODEL
Case temperature(
°C)
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
f
max = min(fmax1, fmax2)
0.05
f
max1 =
t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss
P
cond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J
T
C
R
ΘJC
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PDF描述
APT80GP60JDF3 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT80GP60J 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT80GP60J 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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APT81H50B2 81 A, 500 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AB
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