參數(shù)資料
型號(hào)： APT80GP60B2
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： B2, TMAX-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 94K
代理商： APT80GP60B2
050-7425
Rev
B
10-2003
APT80GP60B2
T
J
= 125°C, VGE = 10V or 15V
T
J
= 25°C, VGE = 10V or 15V
V
GE =
15V,TJ=125°C
VGE= 15V
V
GE =
15V,TJ=25°C
T
J
= 25°C, VGE = 10V or 15V
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
G
, GATE RESISTANCE (OHMS)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
Eon240A
Eoff80A
Eon280A
Eon2120A
Eoff120A
Eoff40A
Eon240A
Eoff80A
Eon280A
Eon2120A
Eoff120A
Eoff40A
T
J
= 25 or 125°C,VGE = 15V
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
ON2
,TURN
ON
ENERGY
LOSS
(J)
t r,
RISE
TIME
(ns)
t d(ON)
,TURN-ON
DELAY
TIME
(ns)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
OFF
,TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(J)
t f,
FALL
TIME
(ns)
t d
(OFF)
,TURN-OFF
DELAY
TIME
(ns)
TJ=125°C, VGE=15V
T
J
= 125°C, VGE = 10V or 15V
TJ = 25°C, VGE=15V
VCE = 400V
TJ = 25°C, TJ =125°C
RG = 5
L = 100 H
VCE = 400V
RG = 5
L = 100 H
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
5
10
15
20
25
30
0
25
50
75
100
125
VCE = 400V
VGE = +15V
RG = 5
40
35
30
25
20
15
10
5
0
70
60
50
40
30
20
10
0
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
VCE = 400V
VGE = +15V
T
J = 125°C
VCE = 400V
RG = 5
L = 100 H
VCE = 400V
RG = 5
L = 100 H
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
140
120
100
80
60
40
20
0
4000
3000
2000
1000
0
4000
3000
2000
1000
0
VCE = 400V
RG = 5
L = 100 H
VCE = 400V
RG = 5
L = 100 H
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT80GP60JDF3 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT80GP60J 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT80GP60J 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT81H50L 81 A, 500 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA
APT81H50B2 81 A, 500 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT80GP60B2G 功能描述:IGBT 600V 100A 1041W TMAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT80GP60J 功能描述:IGBT 600V 151A 462W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
APT80GP60JDQ3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 151A 4-Pin SOT-227 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube
APT80M60J 功能描述:MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:*
APT80M60J_09 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*