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參數(shù)資料
| 型號： | APT80GP60B2 |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | B2, TMAX-3 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | APT80GP60B2 |
050-7425
Rev
B
10-2003
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(V
GE
= 15V)
FIGURE 2, Output Characteristics (V
GE
= 10V)
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
T
J
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
BV
CES
,
COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
APT80GP60B2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
50
100
150
200
250
300
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
TC=-55°C
TC=125°C
TC=25°C
VCE=480V
VCE=300V
VCE=120V
VGE = 10V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
VGE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
IC = 80A
TJ = 25°C
TJ = -55°C
TJ = 125°C
TC=-55°C
TC=25°C
TC=125°C
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
IC=40A
IC= 80A
IC= 160A
IC= 80A
IC= 40A
120
100
80
60
40
20
0
500
400
300
200
100
0
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
1.2
1.15
1.10
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
0.8
120
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
350
300
250
200
150
100
50
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT80GP60JDF3 | 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT80GP60J | 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT80GP60J | 151 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT81H50L | 81 A, 500 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT81H50B2 | 81 A, 500 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| APT80M60J_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
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