參數(shù)資料
型號： APT80GA60B2D40
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 143 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： ROHS COMPLIANT, TO-247, TMAX-3
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 159K
代理商： APT80GA60B2D40
052-6342
Rev
A
4
-
2008
Dynamic Characteristics
TJ = 25°C unless otherwise specied
APT80GA60B2D40_LD40
T
J
= 125°C
V
R
= 400V
20A
40A
80A
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
25
20
15
10
5
0
Duty cycle = 0.5
T
J
= 175°C
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100
200
80
70
60
50
40
30
20
10
0
C
J
,JUNCTION
CAP
A
CIT
ANCE
K
f
,D
YNAMIC
P
ARAMETERS
(pF)
(Nor
maliz
ed
to
1000A/
s)
I F(A
V)
(A)
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 6. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 7. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 8. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
V
F
, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 3. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-di
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 4. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 5. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
Q
rr
,REVERSE
RECO
VER
Y
CHARGE
I F
,FOR
W
ARD
CURRENT
(nC)
(A)
I
RRM
,REVERSE
RECO
VER
Y
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECO
VER
Y
TIME
(A)
(ns)
T
J
= 175°C
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
T
J
= 125°C
V
R
= 400V
80A
20A
40A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
120
100
80
60
40
20
0
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
T
J
= 125°C
V
R
= 400V
80A
40A
20A
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
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PDF描述
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