| 型號(hào): | APT77H60J |
| 廠商: | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類(lèi): | JFETs |
| 英文描述: | 77 A, 600 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝: | ROHS COMPLIANT, ISOTOP, 4 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 273K |
| 代理商: | APT77H60J |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT8014L2FLL | 52 A, 800 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-264AA |
| APT94N65B2C3 | 94 A, 650 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTCV90TL12T3G | 80 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF180SK60TG | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTGF50DA120T1G | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT77N60BC6 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A TO-247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APT77N60JC3 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227 RoHS:是 類(lèi)別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
| APT77N60JC3_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:Super Junction MOSFET |
| APT77N60SC6 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:APT77N60SC6 - Bulk |
| APT7843 | 制造商:ANPEC 制造商全稱(chēng):Anpec Electronics Coropration 功能描述:Touch Screen Controller |