參數(shù)資料
型號(hào)： APT75DQ60BG
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
中文描述： 超快軟恢復(fù)整流二極管
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大小： 140K
代理商： APT75DQ60BG
APT75DQ60B(G)_S(G)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
0
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
Z
θ
J
,
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 1a. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.05
0.3
0.7
FIGURE 1b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Peak T
J
= P
DM
x Z
θ
JC + TC
Duty Factor D =
t1
/
t2
t2
t1
P
D
Note:
MIN
TYP
MAX
-
29
-
31
-
55
-
4
-
-
140
-
650
-
9
-
-
90
-
1300
-
27
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F
= 75A, di
F
/dt = -200A/
μ
s
V
R
= 400V, T
C
= 25
°
C
I
F
= 75A, di
F
/dt = -200A/
μ
s
V
R
= 400V, T
C
= 125
°
C
I
F
= 75A, di
F
/dt = -1000A/
μ
s
V
R
= 400V, T
C
= 125
°
C
I
F
= 1A, di
F
/dt = -100A/
μ
s, V
R
= 30V, T
J
= 25
°
C
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS
Characteristic / Test Conditions
Junction-to-Case Thermal Resistance
Package Weight
Maximum Mounting Torque
Symbol
R
θ
JC
W
T
Torque
MIN
TYP
MAX
.34
0.22
5.9
10
1.1
UNIT
°C/W
oz
g
lbin
Nm
D = 0.9
0.129
0.211
0.0107
0.120
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp
(
°
C)
Case temperature
(
°
C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT75DQ60S ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT75DQ60SG ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT75GN120B2 IGBT
APT75GN120B2G IGBT
APT75GN120L IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT75DQ60SG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE, ULTRAFAST 600V - Bulk
APT75F50B2 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT75F50L 功能描述:MOSFET N-CH 500V 75A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT75GL60BN 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 75A I(C) | TO-247
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