參數(shù)資料
型號(hào)： APT65GP60L2DF2
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 210K
代理商： APT65GP60L2DF2
0
APT65GP60L2DF2
T
J
=125°C
V
R
=400V
15A
30A
60A
Q
r
,
I
F
,
(
(
I
R
,
t
r
,
(
(
T
J
= -55°C
T
J
= 125°C
T
J
= 150°C
120
100
80
60
40
20
0
25
20
15
10
5
0
C
J
,
K
f
,
(
(
I
F
(
30A
60A
15A
140
120
100
80
60
40
20
0
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
1
2
3
4
0
200
400
600
800
1000
1200
0
-di
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
Figure 28. Reverse Recovery Charge
vs.
Current Rate of Change
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
30A
15A
60A
T
J
=125°C
V
R
= 400V
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
0
25
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
1
10
100
200
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
250
200
150
100
50
0
T
J
= 125°C
V
R
=400V
V
F
, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
Figure 26. Forward Current
vs.
Forward Voltage
-di
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/μs)
Figure 27. Reverse Recovery Time
vs.
Current Rate of Change
-di
F
/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/μs)
Figure 29. Reverse Recovery Current
vs.
Current Rate of Change
Case Temperature (°C)
Figure 31. Maximum Average Forward Current
vs.
CaseTemperature
Figure 30. Dynamic Parameters
vs.
Junction Temperature
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 32. Junction Capacitance
vs.
Reverse Voltage
T
J
= 25°C
Duty cycle = 0.5
T
J
= 150°C
60
50
40
30
20
10
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT65GP60L2DQ2 POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DQ2G POWER MOS 7 IGBT
APT75DQ100B ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT75DQ100BG ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
APT75DQ100S ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT65GP60L2DQ2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DQ2G 功能描述:IGBT 600V 198A 833W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT66F60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT66F60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT66M60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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