參數(shù)資料
型號： APT65GP60L2DF2
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 210K
代理商： APT65GP60L2DF2
0
APT65GP60L2DF2
T
J
=
125°C, V
GE
=
10V
or 15V
T
J
=
25°C, V
GE
=
10V
or 15V
V
CE
= 400V
R
= 5
L = 100 μH
V
GE
=
15V,T
J
=125°C
V
GE
= 15V
V
GE
= 10V
V
GE
=10V,T
J
=125°C
V
GE
=
10V,T
J
=25°C
V
GE
=
15V,T
J
=25°C
T
J
=
25°C, V
GE
=
10V
or 15V
50
70
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
160
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
140
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
, GATE RESISTANCE (OHMS)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
R
G
=
5
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
400V
50
70
90
R
G
=
5
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
400V
V
CE
= 400V
L = 100 μH
R
G
= 5
T
J
=
25 or 125°C,V
GE
=
15V
T
J
=
25 or 125°C,V
GE
=
10V
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
S
E
O
,
t
r
R
t
d
,
E
O
,
t
f
F
t
d
(
,
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
V
CE
= 400V
L = 100 μH
R
G
= 5
T
J
=125°C, V
GE
=15V
T
J
=
125°C, V
GE
=
10V
or 15V
T
J
=125°C,V
GE
=10V
T
J
= 25°C, V
GE
=10V
T
J
= 25°C, V
GE
=15V
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
90
110
130
0
10
20
30
40
50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
60
50
40
30
20
10
0
140
120
100
80
60
40
20
0
6000
5500
5000
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
9000
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7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
120
100
80
60
40
20
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
E
off
130A
E
on2
130A
E
on2
32.5A
E
off
65A
E
on2
65A
E
off
32.5A
E
on2
32.5A
E
off
65A
E
on2
65A
E
on2
130A
E
off
130A
E
off
32.5A
V
CE
= 400V
T
J
R
= 5
L = 100 μH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT65GP60L2DQ2 POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DQ2G POWER MOS 7 IGBT
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APT66F60L 功能描述:MOSFET N-CH 600V 70A TO-264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 8™ 標(biāo)準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT66M60B2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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