參數(shù)資料
型號(hào)： APT65GP60JDQ2
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 470K
代理商： APT65GP60JDQ2
0
APT65GP60JDQ2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
100
C
,
V
C
,
I
C
,
I
C
,
V
I
C
D
V
C
,
V
G
,
I
C
,
250μs PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
T
J
= 25°C.
250μs PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
V
= 15V.
250μs PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
V
CE
= 480V
V
CE
= 300V
V
CE
= 120V
I
C
= 65A
T
J
= 25°C
I
C
= 130A
I
C
= 65A
I
C
= 32.5A
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(T
J
= 25°C)
250
V
CE
, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 2, Output Characteristics (T
J
= 125°C)
16
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 4, Gate Charge
V
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
T
, Junction Temperature (°C)
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
0
50
100
150
200
250
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100 125
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
I
C
= 130A
I
C
= 65A
I
C
= 32.5A
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
14
12
10
8
6
4
2
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
200
150
100
50
0
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
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