參數(shù)資料
型號： APT65GP60B2
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 101K
代理商： APT65GP60B2
0
APT65GP60B2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
60
T
J
=
125°C, V
GE
=
10V
or 15V
T
J
=
25°C, V
GE
=
10V
or 15V
V
CE
= 400V
R
= 5
L = 100 μH
V
GE
=
15V,T
J
=125°C
V
GE
= 15V
V
GE
= 10V
V
GE
=10V,T
J
=125°C
V
GE
=
10V,T
J
=25°C
V
GE
=
15V,T
J
=25°C
T
J
=
25°C, V
GE
=
10V
or 15V
50
70
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
160
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
140
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
I
, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
R
, GATE RESISTANCE (OHMS)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
R
G
=
5
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
400V
50
70
90
R
G
=
5
, L
=
100
μ
H, V
CE
=
400V
V
CE
= 400V
L = 100 μH
R
G
= 5
T
J
=
25 or 125°C,V
GE
=
15V
T
J
=
25 or 125°C,V
GE
=
10V
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
R
G
= 5
S
E
O
,
t
r
R
t
d
,
E
O
,
t
f
F
t
d
(
,
V
CE
= 400V
V
GE
= +15V
T
J
= 125°C
V
= 400V
L = 100 μH
R
G
= 5
T
J
=125°C, V
GE
=15V
T
J
=
125°C, V
GE
=
10V
or 15V
T
J
=125°C,V
GE
=10V
T
J
= 25°C, V
GE
=10V
T
J
= 25°C, V
GE
=15V
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
50
70
90
110
130
10
30
90
110
130
0
10
20
30
40
50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
50
40
30
20
10
0
140
120
100
80
60
40
20
0
6000
5500
5000
4500
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
9000
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
120
100
80
60
40
20
0
5000
4000
3000
2000
1000
0
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
E
off
130A
E
on2
130A
E
on2
32.5A
E
off
65A
E
on2
65A
E
off
32.5A
E
on2
32.5A
E
off
65A
E
on2
65A
E
on2
130A
E
off
130A
E
off
32.5A
V
CE
= 400V
T
J
= 25°C or 125°C
R
= 5
L = 100 μH
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT65GP60JDQ2 POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60J POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DF2 POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DQ2 POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DQ2G POWER MOS 7 IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT65GP60J 功能描述:IGBT 600V 130A 431W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
APT65GP60JDQ2 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
APT65GP60L2DF2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT65GP60L2DQ2 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
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