參數(shù)資料
型號： APT50M80LVFR
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS V
中文描述： 功率MOS V
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： APT50M80LVFR
0
Typical Performance Curves
APT50M80B2VFR_LVFR
R
D
(
I
D
,
I
D
,
(
V
G
(
B
D
,
R
D
(
I
D
,
(
V
15 &10V
6V
5V
5.5V
4.5V
7V
VGS=10V
VGS=20V
VD250μSEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
TJ = +125°C
TJ = +25°C
TJ = -55°C
0.0302
0.0729
0.0955
0.00809F
0.0182F
0.264F
Power
(watts)
Junction
temp. (
°
C)
RC MODEL
Case temperature. (
°
C)
4V
NORMALIZED TO
V
GS
= 10V @ 29A
V
, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 3, LOW VOLTAGE OUTPUT CHARACTERISTICS
FIGURE 2, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
V
, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 4, TRANSFER CHARACTERISTICS
I
, DRAIN CURRENT (AMPERES)
FIGURE 5, R
DS
(ON) vs DRAIN CURRENT
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, BREAKDOWN VOLTAGE vs TEMPERATURE
FIGURE 6, MAXIMUM DRAIN CURRENT vs CASE TEMPERATURE
T
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 8, ON-RESISTANCE vs. TEMPERATURE
T
, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 9, THRESHOLD VOLTAGE vs TEMPERATURE
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1.4
1.3
1.2
1.1
1.00
0.90
0.80
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
0
20
40
60
80
100
120
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125 150
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
60
50
40
30
20
10
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
I
D
= 29A
V
GS
= 10V
相關PDF資料
PDF描述
APT50M85B2VFR WASHER FOR THE SPECTROL 534 SERIES POTENTIOMETER
APT50M85B2VR NUT FOR THE SPECTROL 534 SERIES POTENTIOMETER
APT50M85JVFR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT50M85LVFR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
APT50M85JVR Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
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參數(shù)描述
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