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參數資料
| 型號： | APT45GP120B2DQ2G |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 113 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, T-MAX, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/9頁 |
| 文件大小： | 436K |
| 代理商： | APT45GP120B2DQ2G |
050-7433
Rev
A
6-2005
APT45GP120B2DQ2(G)
1 Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2 For Combi devices, I
ces includes both IGBT and FRED leakages
3 See MIL-STD-750 Method 3471.
4 E
on1 is the clam ped inductive turn-on-energy of the IGBT only, without the effect of a commutating diode reverse recovery current
adding to the IGBT turn-on loss. (See Figure 24.)
5 E
on2 is the clamped inductive turn-on energy that includes a commutating diode reverse recovery current in the IGBT turn-on switching
loss. (See Figures 21, 22.)
6 E
off is the clamped inductive turn-off energy measured in accordance with JEDEC standard JESD24-1. (See Figures 21, 23.)
7 Continuous current limited by package lead temperature.
APT Reserves the right to change, without notice, the specications and information contained herein.
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS
UNIT
°C/W
gm
MIN
TYP
MAX
.20
.61
5.9
Characteristic
Junction to Case
(IGBT)
Junction to Case
(DIODE)
Package Weight
Symbol
RθJC
W
T
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
C
ies
C
oes
C
res
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
RBSOA
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on1
E
on2
E
off
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
E
on1
E
on2
E
off
Test Conditions
Capacitance
V
GE = 0V, VCE = 25V
f = 1 MHz
Gate Charge
V
GE = 15V
V
CE = 600V
I
C = 45A
T
J = 150°C, RG = 5, VGE =
15V, L = 100H,V
CE = 960V
Inductive Switching (25°C)
V
CC = 600V
V
GE = 15V
I
C = 45A
R
G = 5
T
J = +25°C
Inductive Switching (125°C)
V
CC =600V
V
GE = 15V
I
C = 45A
R
G = 5
T
J = +125°C
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate-to-Emitter Plateau Voltage
Total Gate Charge 3
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector ("Miller") Charge
Reverse Bias Safe Operating Area
Turn-on Delay Time
Current Rise Time
Turn-off Delay Time
Current Fall Time
Turn-on Switching Energy 4
Turn-on Switching Energy (Diode) 5
Turn-off Switching Energy 6
Turn-on Delay Time
Current Rise Time
Turn-off Delay Time
Current Fall Time
Turn-on Switching Energy 4 4
Turn-on Switching Energy (Diode) 55
Turn-off Switching Energy 6
MIN
TYP
MAX
3995
300
55
7.5
185
25
80
170
18
29
100
38
900
1870
905
18
29
150
80
900
3080
2255
UNIT
pF
V
nC
A
ns
J
ns
J
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT45GP120B2DQ2 | 113 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT45GP120B2DQ2 | 113 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT45GP120JDF2 | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT47N60SCF | 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT47N60SCFG | 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| APT45GP120JDQ2 | 功能描述:IGBT 1200V 75A 329W SOT227 RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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