參數(shù)資料
型號： APT45GP120B2DQ2G
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 113 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ROHS COMPLIANT, T-MAX, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 436K
代理商： APT45GP120B2DQ2G
050-7433
Rev
A
6-2005
APT45GP120B2DQ2(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10,000
1,000
100
10
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
V
CE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Reverse Bias Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
10 20
30
40
50
60
70
80
90
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
I
C, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 800V
RG = 5
170
100
50
10
5
1
C
ies
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, fmax2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - Pcond
E
on2 + Eoff
f
max2 =
P
diss =
T
J - TC
RθJC
C
oes
C
res
0.0296
0.087
0.0837
0.000782
0.0150
0.185
Power
(watts)
Junction
temp. (°C)
RC MODEL
Case temperature. (°C)
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT45GP120B2DQ2G 113 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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