參數(shù)資料
型號: APT45GP120B2DQ2
廠商: MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 113 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: T-MAX, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/9頁
文件大?。?/td> 436K
代理商: APT45GP120B2DQ2
050-7433
Rev
A
6-2005
APT45GP120B2DQ2(G)
V
GE =15V,TJ=125°C
V
GE =15V,TJ=25°C
V
CE = 600V
R
G = 5
L = 100 H
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
ON2
,TURN
ON
ENERGY
LOSS
(J)
t r,
RISE
TIME
(ns)
t d(ON)
,TURN-ON
DELAY
TIME
(ns)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(J)
E
OFF
,TURN
OFF
ENERGY
LOSS
(J)
t f,
FALL
TIME
(ns)
t d
(OFF)
,TURN-OFF
DELAY
TIME
(ns)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 9, Turn-On Delay Time vs Collector Current
FIGURE 10, Turn-Off Delay Time vs Collector Current
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
I
CE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 11, Current Rise Time vs Collector Current
FIGURE 12, Current Fall Time vs Collector Current
ICE, COLLECTOR TO EMITTER CURRENT (A)
FIGURE 13, Turn-On Energy Loss vs Collector Current
FIGURE 14, Turn Off Energy Loss vs Collector Current
RG, GATE RESISTANCE (OHMS)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE 15, Switching Energy Losses vs. Gate Resistance
FIGURE 16, Switching Energy Losses vs Junction Temperature
VCE = 600V
VGE = +15V
RG = 5
R
G = 5, L = 100H, VCE = 600V
V
CE = 600V
T
J = 25°C, TJ =125°C
R
G = 5
L = 100 H
25
20
15
10
5
0
80
70
60
50
40
30
20
10
0
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
100
80
60
40
20
0
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
V
GE = 15V
T
J = 125°C, VGE = 15V
T
J = 25 or 125°C,VGE = 15V
T
J = 25°C, VGE = 15V
VCE = 600V
VGE = +15V
RG = 5
VCE = 600V
VGE = +15V
RG = 5
VCE = 600V
VGE = +15V
TJ = 125°C
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
0
10
20
30
40
50
0
25
50
75
100
125
R
G = 5, L = 100H, VCE = 600V
T
J = 125°C,VGE =15V
T
J = 25°C,VGE =15V
T
J = 125°C, VGE = 15V
T
J = 25°C, VGE = 15V
E
on2,90A
E
off,90A
E
on2
,45A
E
off,45A
E
on2
,22.5A
E
off,22.5A
E
on2,90A
E
off,90A
E
on2
,45A
E
off,45A
E
on2
,22.5A
E
off,22.5A
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PDF描述
APT45GP120B2DQ2 113 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT45GP120JDF2 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT47N60SCF 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT47N60SCFG 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT47N60BCF 46 A, 600 V, 0.083 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
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參數(shù)描述
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APT45GR65B 功能描述:IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):92A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):168A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,45A 功率 - 最大值:357W 開關(guān)能量:900μJ(開),580μJ(關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:203nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:15ns/100ns 測試條件:433V,45A,4.3 歐姆,15V 反向恢復(fù)時間(trr):- 封裝/外殼:TO-247-3 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-247 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1