參數(shù)資料
型號(hào)： APT40GP90B2DF2
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： T-MAX, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/8頁(yè)
文件大?。?/td> 197K
代理商： APT40GP90B2DF2
050-7480
Rev
B
8-2004
APT40GP90B2DF2
TJ = 125°C
VR = 667V
15A
30A
60A
Q
rr
,REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A
)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A
)
(ns)
TJ = -55°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 150°C
VF,ANODE-TO-CATHODEVOLTAGE(V)
-diF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 3. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-diF/dt,CURRENTRATEOFCHANGE(A/s)
-diF/dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 4. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 5. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
Duty cycle = 0.5
TJ = 150°C
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETERS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
TJ,JUNCTIONTEMPERATURE(°C)
Case Temperature (°C)
Figure 6. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 7. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 8. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
60A
30A
15A
TJ = 125°C
VR = 667V
0
1
2
3
4
5
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000
1200
100
80
60
40
20
0
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
30A
15A
60A
TJ = 125°C
VR = 667V
350
300
250
200
150
100
50
0
35
30
25
20
15
10
5
0
trr
Qrr
trr
IRRM
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
1
10
100 200
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
160
140
120
100
80
60
40
20
0
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