參數(shù)資料
型號(hào)： APT40GP90B2DF2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： T-MAX, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 197K
代理商： APT40GP90B2DF2
050-7480
Rev
B
8-2004
APT40GP90B2DF2
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
7,000
1,000
500
100
50
10
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
C,
CAPACITANCE
( P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VCE,COLLECTOR-TO-EMITTERVOLTAGE(VOLTS)
VCE,COLLECTORTOEMITTERVOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600
800
1000
Cies
Coes
Cres
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
max
max1
max 2
max1
d(on)
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R
θ
=
++
+
=
+
=
10
20
30
40
50
60
70
80
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 600V
RG = 5
300
100
50
5
0.0896
0.140
0.0108F
0.228F
RC MODEL
Case temperature(
°C)
Junction
temp (
°C)
Power
(watts)
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PDF描述
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