參數(shù)資料
型號(hào)： APT30N60BC6
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： JFETs
英文描述： 30 A, 600 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 151K
代理商： APT30N60BC6
050-7209
Rev
A
8-2010
MAXIMUM RATINGS
All Ratings per die: T
C = 25°C unless otherwise specied.
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ultra Low R
DS(ON)
Low Miller Capacitance
Ultra Low Gate Charge, Qg
Avalanche Energy Rated
Extreme dv/dt Rated
Super Junction MOSFET
C
Power Semiconductors
O
O LMOS
"COOLMOS comprise a new family of transistors developed by Inneon Technologies AG. "COOLMOS" is a trade-
mark of Inneon Technologies AG."
G
D
S
Microsemi Website - http://www.microsemi.com
APT30N60BC6
APT30N60SC6
600V
30A
.125
Ω
Symbol
Parameter
APT30N60B_SC6
UNIT
V
DSS
Drain-Source Voltage
600
Volts
I
D
Continuous Drain Current @ T
C = 25°C
30
Amps
Continuous Drain Current @ T
C = 100°C
19
I
DM
Pulsed Drain Current 1
89
V
GS
Total Power Dissipation @ T
C = 25°C
±
20
Volts
P
D
Gate-Source Voltage Continuous
219
Watts
T
J,TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
- 55 to 150
°C
T
L
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.
260
dv/dt
Drain-Source Voltage slope (VDS = 480V, ID = 30A, TJ = 125°C)
15
V/ns
I
AR
Avalanche Current 2
5.2
Amps
E
AR
Repetitive Avalanche Energy 2 ( Id = 5.2A, Vdd = 50V )
0.96
mJ
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
( Id = 5.2A, Vdd = 50V )
636
Symbol
Characteristic / Test Conditions
MIN
TYP
MAX
UNIT
BV
(DSS)
Drain-Source Breakdown Voltage (V
GS = 0V, ID = 250μA)
600
Volts
R
DS(on)
Drain-Source On-State Resistance 3 (V
GS = 10V, ID = 14.5A)
0.11
0.125
Ohms
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current (V
DS = 600V, VGS = 0V)
25
μA
Zero Gate Voltage Drain Current (V
DS = 600V, VGS = 0V, TC = 150°C)
100
I
GSS
Gate-Source Leakage Current (V
GS = ±20V, VDS = 0V)
±100
nA
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage (V
DS = VGS, ID = 960μA)
2.5
3
3.5
Volts
TO-247
D3PAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT30N60SC6 30 A, 600 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT33GF120B2RD 52 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT33GF120LRD 52 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT4020SVFR 23 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT4020BVFR 23 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT30N60KC6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
APT30N60SC6 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:APT30N60SC6 - Bulk
APT30S20B 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
APT30S20BCT 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE
APT30S20BCTG 功能描述:DIODE SCHOTTKY 2X45A 200V TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關(guān)文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個(gè)二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 二極管配置:1 對(duì)共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商設(shè)備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2
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