參數(shù)資料
型號(hào)： APT20GF120BRD
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 32 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大?。?/td> 108K
代理商： APT20GF120BRD
052-6252
Rev
C
4-2003
APT20GF120BRD/SRD
C,
CAPACITANCE
(pF)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(VOLTS)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
250Sec. Pulse Test
VGE = 15V
IC = IC2
TJ = +25°C
f = 1MHz
9V
11V
9V
Cies
Cres
13V
7V
13V
11V
7V
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
0.05
D=0.5
0.2
0.02
0.01
SINGLE PULSE
Coes
VGE=17 & 15V
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
VGE=17 & 15V
TC=-55°C
TC=+25°C
TC=+150°C
0.1
OPERATION
LIMITED
BY
VCE (SAT)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1, Typical Output Characteristics (TJ = 25°C)
Figure 2, Typical Output Characteristics (TJ = 150°C)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3, Typical Output Characteristics @ VGE = 15V
Figure 4, Maximum Forward Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 5, Typical Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 6, Gate Charges vs Gate-To-Emitter Voltage
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 7, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
50
40
30
20
10
0
100
50
10
5
1
20
16
12
8
4
0
50
40
30
20
10
0
60
40
30
20
10
0
2,000
1,000
500
100
50
10
1.0
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
VCE=240V
VCE=600V
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
0
2
4
6
8
1
5
10
50 100
1200
0.01
0.1
1.0
10
50
0
40
80
120
160
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
100s
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT20GF120SRD 32 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT20GF120SRDQ1G 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
APT20GF120BRDQ1G 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT20GF120BRDQ1 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT20GF120SRDQ1 36 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
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參數(shù)描述
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