參數(shù)資料
型號(hào)： APT15GT60BR
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 78K
代理商： APT15GT60BR
052-6209
Rev
C
5-2002
APT15GT60BR
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 8, Typical VCE(SAT) Voltage vs Junction Temperature
Figure 9, Maximum Collector Current vs Case Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
RG, GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 10, Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 11, Typical Switching Energy Losses vs Gate Resistance
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPERES)
Figure 12, Typical Switching Energy Losses vs. Junction Temperature
Figure 13, Typical Switching Energy Losses vs Collector Current
F, FREQUENCY (KHz)
Figure 14,Typical Load Current vs Frequency
IC1
Eon
Eoff
0.5 IC2
IC2
0.5 IC2
IC2
IC1
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
10
1
0.1
100
10
1
VCC = 0.66 VCES
VGE= +15V
RG = 10
VCC = 0.66 VCES
VGE= +15V
TJ = +25°C
IC = IC2
VCC = 0.66 VCES
VGE= +15V
TJ = +125°C
RG = 10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
20
40
60
80
100
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
0
3
6
9
12
15
0.1
1.0
10
100
1000
I C
,
COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
TOTAL
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(mJ)
B
V
CES
,COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
(SAT),
COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(NORMALIZED)
SATURATION
VOLTAGE
(VOLTS)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(mJ)
SWITCHING
ENERGY
LOSSES
(mJ)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
30
25
20
15
10
5
0
.8
.6
.4
.2
0
.4
.3
.2
.1
0
ForBoth:
Duty Cycle = 50%
TJ = +125°C
Tcase = +90°C
Gatedriveasspecified
Powerdissapation=35W
ILOAD=IRMS offundamental
Eoff
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT15GT60KR 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT15GT60KRG 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT17M120JCU2 17 A, 1200 V, 0.816 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT17N80CC3 11.5 A, 800 V, 0.32 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA
APT18H60B 18 A, 600 V, 0.42 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AB
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參數(shù)描述
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APT15GT60BRDQ1 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:Thunderbolt IGBT
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