參數(shù)資料
型號(hào)： APT15GT60BR
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 78K
代理商： APT15GT60BR
052-6209
Rev
C
5-2002
APT15GT60BR
T0-247 Package Outline
APT's devices are covered by one or more of the following U.S.patents:
4,895,810
5,045,903
5,089,434
5,182,234
5,019,522
5,262,336
5,256,583
4,748,103
5,283,202
5,231,474
5,434,095
5,528,058
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
Collector
Emitter
Gate
5.45 (.215) BSC
Dimensions in Millimeters and (Inches)
2-Plcs.
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
VCC = 0.66 VCES
Ets = Eon + Eoff
VCE(on)
td(off)
td(on)
tf
tr
1
Figure 15, Switching Loss Test Circuit and Waveforms
Figure 16, Resistive Switching Time Test Circuit and Waveforms
2
VCC
RG
RL =
.5 VCES
I C2
10%
90%
VGE(on)
VCE(off)
VGE(off)
2
1
From
Gate Drive
Circuitry
D.U.T.
B
IC
90%
10%
90%
10%
90%
Eoff
tf
td(off)
td(on)
tr
Eon
IC
VCLAMP
100uH
VCHARGE
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VC
A
RG
VC
D.U.T.
VCE(SAT)
t=2us
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT15GT60BR 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT15GT60KR 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT15GT60KRG 42 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
APT17M120JCU2 17 A, 1200 V, 0.816 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
APT17N80CC3 11.5 A, 800 V, 0.32 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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