參數(shù)資料
型號(hào)： APT15GP60BDQ1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 262K
代理商： APT15GP60BDQ1G
050-7449
Rev
A
10-2005
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
APT15GP60BDQ1
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C = 129°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J = 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F(AV)
I
F(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F = 15A
Forward Voltage
I
F = 30A
I
F = 15A, TJ = 125°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
2.0
2.5
1.6
APT15GP60BDQ1
15
30
110
DYNAMICCHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
15
-19
-21
-2-
-
105
-
250
-5-
-55
-
420
-15
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F = 15A, diF/dt = -200A/s
V
R = 400V, TC = 25°C
I
F = 15A, diF/dt = -200A/s
V
R = 400V, TC = 125°C
I
F = 15A, diF/dt = -1000A/s
V
R = 400V, TC = 125°C
I
F = 1A, diF/dt = -100A/s, VR = 30V, TJ = 25°C
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULARPULSEDURATION(seconds)
FIGURE25a.MAXIMUMEFFECTIVETRANSIENTTHERMALIMPEDANCE,JUNCTION-TO-CASEvs.PULSEDURATION
1.40
1.20
1.0
0.80
0.60
0.40
0.20
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.9
0.05
FIGURE 25b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.725
°C/W
0.455
°C/W
0.172
°C/W
0.00166 J/
°C
0.0381 J/
°C
0.645 J/
°C
Power
(watts)
Junction
temp(
°C)
RC MODEL
Case temperature(
°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT15GP60BDQ1 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GP60BG 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GP60BSC 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT15GP60B 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GP60S 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT15GP60BG 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT15GP60K 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT15GP60KG 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT15GP60S 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT15GP90B 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
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