參數(shù)資料
型號(hào)： APT15GP60BDQ1G
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大?。?/td> 262K
代理商： APT15GP60BDQ1G
050-7449
Rev
A
10-2005
APT15GP60BDQ1
T
J = 125
C
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
0
90%
t
d(off)
t
f
10%
Switching Energy
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
10%
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
td(on)
90%
tr
5%
5 %
10%
Switching Energy
T
J = 125 C
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
IC
VCLAMP
100uH
VTEST
A
B
D.U.T.
DRIVER*
VCE
Figure 24, EON1 Test Circuit
IC
A
D.U.T.
APT15DF60
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT15GP60BDQ1 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GP60BG 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GP60BSC 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT15GP60B 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GP60S 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT15GP60BG 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT15GP60K 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT15GP60KG 功能描述:IGBT 600V 56A 250W TO220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT15GP60S 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT15GP90B 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
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