參數(shù)資料
型號： APT11N80BC3
元件分類： JFETs
英文描述： 11 A, 800 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 162K
代理商： APT11N80BC3
050-7136
Rev
B
4-2004
APT11N80BC3
Typical Performance Curves
4.5V
5V
5.5V
4V
VGS =15 & 10V
VGS=10V
VGS=20V
TJ = +125°C
TJ = +25°C
TJ = -55°C
VDS> ID (ON) x RDS (ON)MAX.
250SEC. PULSE TEST
@ <0.5 % DUTY CYCLE
6V
6.5V
NORMALIZED TO
V
GS = 10V @ 5.5A
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
12
10
8
6
4
2
0
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
30
25
20
15
10
5
0
1.40
1.30
1.20
1.10
1.00
0.90
0.80
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
I
D = 5.5A
V
GS = 10V
0.345
0.455
0.00375
0.101
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (
°C)
Case temperature
V
DS, DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
FIGURE 2, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
FIGURE3,LOW VOLTAGE OUTPUTCHARACTERISTICS
V
GS, GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
D, DRAIN CURRENT (AMPERES)
FIGURE4, TRANSFERCHARACTERISTICS
FIGURE 5, R
DS(ON) vs DRAIN CURRENT
T
C, CASE TEMPERATURE (°C)
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
FIGURE6,MAXIMUMDRAINCURRENTvsCASETEMPERATURE
FIGURE7,BREAKDOWNVOLTAGEvsTEMPERATURE
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
T
C, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE8,ON-RESISTANCEvs.TEMPERATURE
FIGURE9,THRESHOLDVOLTAGEvsTEMPERATURE
0
5
10
15
20
0
1
23
4
5
6
789
10
0
4
8
12
16
20
25
50
75
100
125
150
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
R
DS
(ON),
DRAIN-TO-SOURCE
ON
RESISTANCE
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
(NORMALIZED)
V
GS
(TH),
THRESHOLD
VOLTAGE
BV
DSS
,DRAIN-TO-SOURCE
BREAKDOWN
R
DS
(ON)
,DRAIN-TO-SOURCE
ON
RESISTANCE
I D
,DRAIN
CURRENT
(AMPERES)
(NORMALIZED)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
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PDF描述
APT11N80BC3 11 A, 800 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
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