型號: | APT11N80BC3 |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 11 A, 800 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
封裝: | TO-247, 3 PIN |
文件頁數: | 1/5頁 |
文件大?。?/td> | 162K |
代理商: | APT11N80BC3 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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APT11N80BC3 | 11 A, 800 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD |
APT1201R2BFLL | 12 A, 1200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
APT1201R2SFLL | 12 A, 1200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT1201R2SFLL | 12 A, 1200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
APT1201R2BFLL | 12 A, 1200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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APT11N80BC3G | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
APT11N80KC3 | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Super Junction MOSFET |
APT11N80KC3G | 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:CoolMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
APT1201R2BFLL | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
APT1201R2BFLLG | 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:POWER MOS 7® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |