參數(shù)資料
型號： APT11GP60BDQBG
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 41 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 212K
代理商： APT11GP60BDQBG
050-7447
Rev
A
3-2005
APT11GP60BDQB
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
0510
15
20
25
1000
500
100
50
10
2,000
1,000
500
100
50
10
5
1
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
C,
CAPACITANCE
(
P
F)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
F
MAX
,OPERATING
FREQUENCY
(kHz)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
TJ = 125°C
TC = 75°C
D = 50 %
VCE = 200V
RG = 5
Cies
Coes
max
max1
max 2
max1
d(on)
r
d(off )
f
diss
cond
max 2
on2
off
JC
diss
JC
Fmin(f
, f
)
0.05
f
tt
t
PP
f
EE
TT
P
R
θ
=
++
+
=
+
=
Cres
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
Z θ
JC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULARPULSEDURATION(SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
0.376
0.295
0.00350F
0.0545F
RC MODEL
Case temperature(
°C)
Junction
temp (
°C)
Power
(watts)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT11GP60BDQB 41 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT11GP60BDQB 41 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT11N80BC3 11 A, 800 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT11N80BC3 11 A, 800 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
APT1201R2BFLL 12 A, 1200 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT11GP60K 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT11GP60KG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - SINGLE - Rail/Tube
APT11GP60SA 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT11N80BC3 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:Super Junction MOSFET
APT11N80BC3G 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*