參數(shù)資料
型號(hào)： APT11GF120BRDQ1
廠商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 25 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AC
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 429K
代理商： APT11GF120BRDQ1
052-6212
Rev
A
12-2005
APT11GF120BRDQ1(G)
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Denitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Denitions
T
J = 125°C
Switching Energy
5%
10%
t
d(on)
90%
10%
t
r
5%
T
J = 125°C
Switching Energy
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
Collector Current
Collector Voltage
Gate Voltage
Collector Voltage
Collector Current
Gate Voltage
APT15DQ120
IC
A
D.U.T.
VCE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
VCC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT11GF120BRD 22 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
APT11GP60BDQBG 41 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT11GP60BDQB 41 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT11GP60BDQB 41 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT11N80BC3 11 A, 800 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT11GF120BRDQ1G 功能描述:IGBT 1200V 25A 156W TO247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT11GF120KR 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:FAST IGBT
APT11GF120KRG 功能描述:IGBT 1200V 25A 156W TO220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT11GP60BDQB 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT11GP60BDQBG 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 7 - COMBI - Rail/Tube 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
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