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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APT100GT60LRG |
| 廠商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | APT100GT60LRG |
Typical Performance Curves
APT100GT60B2R_LR(G)
052-6297
Rev
B
6
-
2010
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
Z
θ
JC
,
THERMAL
IMPED
ANCE
(°C/W)
0.3
0.9
0.7
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
10,000
5,000
1,000
500
100
350
300
250
200
150
100
50
0
C
,CAP
A
CIT
ANCE
(
P
F)
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(A)
V
CE
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 18,Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
10 20
30
40
50
60
70
80
90 100
F
MAX
,OPERA
TING
FREQ
UENCY
(kHz)
I
C
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
100
50
10
5
1
C
0es
C
res
0.5
0.1
0.05
F
max
= min (f
max, f max2)
0.05
f
max1 = t
d(on) + tr + td(off) + tf
P
diss - P cond
E
on2 + E off
f
max2 =
P
diss =
T
J - T C
R θJC
C
ies
T
J
= 125
°C
D = 50 %
V
CE
= 400V
R
G
= 4.3
Ω
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t
2
t2
t1
P
DM
Note:
T
C
= 75
°C
T
C
= 100
°C
0.0587
0.132
0.0587
0.0120
0.420
4.48
Dissipated Power
(Watts)
T
J (°C)
T
C (°C)
Z
EXT are the external thermal
impedances: Case to sink,
sink to ambient, etc. Set to
zero when modeling only
the case to junction.
Z
EXT
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT100GT60B2R | 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| APT100GT60LR | 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| APT106N60B2C6 | 106 A, 600 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT10M07JVR | 225 A, 100 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APT10M09B2VFRG | 100 A, 100 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT100M50J | 功能描述:MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
| APT100M50J_09 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:N-Channel MOSFET |
| APT100MC120JCU2 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:SILICON CARBIDE DIODE |
| APT100S20B | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:HIGH VOLTAGE SCHOTTKY DIODE |
| APT100S20BG | 功能描述:DIODE SCHOTTKY 120A 200V TO-247 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類型:底座，接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱:*1N3879 |
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