參數(shù)資料
型號(hào)： APT100GT120JU3
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 607K
代理商： APT100GT120JU3
APT100GT120JU3
A
PT
100G
T
120J
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
4- 7
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
01
234
VCE (V)
I C
(A
)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=13V
VGE=17V
VGE=9V
0
50
100
150
200
012
34
VCE (A)
I C
(A
)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
56
789
10
11
12
VGE (V)
I C
(A
)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
5
10
15
20
25
0
25
50
75 100 125 150 175 200
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 3.9
TJ = 125°C
Eon
Eoff
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 100A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Safe Operating Area
0
40
80
120
160
200
240
0
400
800
1200
1600
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=3.9
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
Im
pe
da
nc
e(°C
/W
)
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PDF描述
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