參數(shù)資料
型號： APT100GT120JU3
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 140 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大?。?/td> 607K
代理商： APT100GT120JU3
APT100GT120JU3
A
PT
100G
T
120J
U
3–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
2- 7
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
BVCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
VGE = 0V, IC = 5mA
1200
V
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V, VCE = 1200V
5
mA
Tj = 25°C
1.4
1.7
2.1
VCE(on)
Collector Emitter on Voltage
VGE =15V
IC = 100A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 4mA
5.0
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = ±20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
7200
Coes
Output Capacitance
400
Cres
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1MHz
300
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
260
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
420
Tf
Fall Time
Resistive Switching (25°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 100A
RG = 3.9
W
70
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
290
Tr
Rise Time
45
Td(off)
Turn-off Delay Time
520
Tf
Fall Time
90
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
10
Eoff
Turn-off Switching Energy
Inductive Switching (125°C)
VGE = 15V
VBus = 600V
IC = 100A
RG = 3.9
W
12
mJ
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