參數(shù)資料
型號: APT100GF60JRD
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: 140 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: ISOTOP-4
文件頁數(shù): 2/6頁
文件大?。?/td> 112K
代理商: APT100GF60JRD
Symbol
Cies
Coes
Cres
Qg
Qge
Qgc
td(on)
tr
td(off)
tf
td(on)
tr
td(off)
tf
Eon
Eoff
Ets
td(on)
tr
td(off)
tf
Ets
gfe
DYNAMIC CHARACTERISTICS (IGBT)
APT100GF60JRD
UNIT
°C/W
oz
gm
lbin
Nm
MIN
TYP
MAX
0.32
0.42
40
1.03
29.2
10
1.1
Characteristic
Junction to Case (IGBT)
Junction to Case (FRED)
Junction to Ambient
Package Weight
Mounting Torque (Mounting = 8-32 or 4mm Machine and Terminals = 4mm Machine)
Symbol
RΘJC
RΘJA
WT
Torque
THERMAL AND MECHANICAL CHARACTERISTICS (IGBT and FRED)
Test Conditions
Capacitance
VGE = 0V
VCE = 25V
f = 1 MHz
Gate Charge
VGE = 15V
VCC = 0.5VCES
IC = IC2
Resistive Switching (25°C)
VGE = 15V
VCC = 0.8VCES
IC = IC2
RG = 5
Inductive Switching (150°C)
VCLAMP(Peak) = 0.66VCES
VGE = 15V
IC = IC2
RG = 5
TJ = +150°C
Inductive Switching (25°C)
VCLAMP(Peak) = 0.66VCES
VGE = 15V
IC = IC2
RG = 5
TJ = +25°C
VCE = 20V, IC = IC2
MIN
TYP
MAX
4635
5020
490
710
300
520
340
510
39
60
195
290
38
80
162
320
230
340
165
330
44
88
150
300
395
590
105
210
714
612
13
25
47
90
163
330
350
530
90
180
11
22
6
UNIT
pF
nC
ns
mJ
ns
mJ
S
Characteristic
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge 2
Gate-Emitter Charge
Gate-Collector ("Miller ") Charge
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Turn-on Switching Energy 3
Turn-off Switching Energy
Total Switching Losses 3
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
Total Switching Losses 3
Forward Transconductance
1
Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
2
See MIL-STD-750 Method 3471
3
Switching losses include the FRED and IGBT.
APT Reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein.
052-6255
Rev
B
6-2002
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT100GF60JU2 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GF60JU3 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60B2 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60B2G 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60B2 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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APT100GLQ65JU3 功能描述:IGBT 600V 100A 430W ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.3V @ 15V,1000A 電流 - 集電極截止(最大值):50μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):6.1nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:1