參數(shù)資料
型號： APT100GF60JU2
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： ISOTOP-4
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大?。?/td> 447K
代理商： APT100GF60JU2
APT100GF60JU2
A
PT
100G
F60J
U
2–
R
ev
0
A
pr
il,
2004
APT website – http://www.advancedpower.com
1- 9
ISOTOP
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
IC1
TC = 25°C
120
IC2
Continuous Collector Current
TC = 80°C
100
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
320
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
416
W
IFAV
Maximum Average Forward Current
Duty cycle=0.5
TC = 80°C
30
IFRMS
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
39
A
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.
K
E
C
G
VCES = 600V
IC = 100A @ Tc = 80°C
Application
AC and DC motor control
Switched Mode Power Supplies
Power Factor Correction
Brake switch
Features
Non Punch Through (NPT) THUNDERBOLT IGBT
-
Low voltage drop
-
Low tail current
-
Switching frequency up to 100 kHz
-
Soft recovery parallel diodes
-
Low diode VF
-
Low leakage current
-
Avalanche energy rated
-
RBSOA and SCSOA rated
ISOTOP Package (SOT-227)
Very low stray inductance
High level of integration
Benefits
Outstanding performance at high frequency operation
Stable temperature behavior
Very rugged
Direct mounting to heatsink (isolated package)
Low junction to case thermal resistance
Easy paralleling due to positive TC of VCEsat
ISOTOP Boost chopper
NPT IGBT
K
C
G
E
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT100GF60JU3 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60B2 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60B2G 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60B2 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60LDQ4 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
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參數(shù)描述
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APT100GN120B2 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT
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