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參數(shù)資料
| 型號： | APT100GF60JRD |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | 140 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | ISOTOP-4 |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 112K |
| 代理商： | APT100GF60JRD |
G
C
E
APT100GF60JRD
600V
140A
The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. Using Non-
Punch Through Technology the Fast IGBT combined with an APT free-
wheeling ultraFast Recovery Epitaxial Diode (FRED) offers superior
ruggedness and fast switching speed.
Low Forward Voltage Drop
High Freq. Switching to 20KHz
Low Tail Current
Ultra Low Leakage Current
RBSOA and SCSOA Rated
Ultrafast Soft Recovery Antiparallel Diode
Fast IGBT & FRED
SOT-227
G
E
C
ISOTOP
"UL Recognized"
MAXIMUM RATINGS (IGBT)
All Ratings: TC = 25°C unless otherwise specified.
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (IGBT)
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.
USA
405 S.W. Columbia Street
Bend, Oregon 97702 -1035
Phone: (541) 382-8028
FAX: (541) 388-0364
EUROPE
Avenue J.F. Kennedy Bt B4 Parc Cadéra Nord
F-33700 Merignac - France
Phone: (33) 5 57 92 15 15
FAX: (33) 5 56 47 97 61
APT Website - http://www.advancedpower.com
052-6255
Rev
B
6-2002
Symbol
VCES
VCGR
VGE
IC1
IC2
ICM
ILM
PD
TJ,TSTG
TL
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Gate Voltage (RGE = 20K)
Gate-Emitter Voltage
Continuous Collector Current 3
@ TC = 25°C
Continuous Collector Current @ TC = 60°C
Pulsed Collector Current 1
@ TC = 25°C
RBSOA Clamped Inductive Load Current @ Rg = 11 TC = 125°C
Total Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.
APT100GF60JRD
600
±20
140
100
280
200
390
-55 to 150
300
UNIT
Volts
Amps
Watts
°C
MIN
TYP
MAX
4.5
5.5
6.5
1.6
2.7
1.7
3.4
1.0
5.0
±100
Characteristic / Test Conditions
Gate Threshold Voltage
(VCE = VGE, IC = 700A, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 50A, Tj = 25°C)
Collector-Emitter On Voltage (VGE = 15V, IC = 50A, Tj = 125°C)
Collector Cut-off Current (VCE = VCES, VGE = 0V, Tj = 25°C)
Collector Cut-off Current (VCE = VCES, VGE = 0V, Tj = 125°C)
Gate-Emitter Leakage Current (VGE = ±20V, VCE = 0V)
UNIT
Volts
mA
nA
Symbol
VGE(TH)
VCE(ON)
ICES
IGES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APT100GF60JU2 | 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT100GF60JU3 | 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT100GN60B2 | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT100GN60B2G | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APT100GN60B2 | 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APT100GF60JU2 | 功能描述:IGBT 600V 120A 416W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APT100GF60JU3 | 功能描述:IGBT 600V 120A 416W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
| APT100GF60LR | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:The Fast IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs. |
| APT100GLQ65JU2 | 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
| APT100GLQ65JU3 | 功能描述:IGBT 600V 100A 430W ISOTOP 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:165A 功率 - 最大值:430W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.3V @ 15V，1000A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:6.1nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 |
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