參數(shù)資料
型號(hào)： APT100GF60B2R
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： B2, TMAX-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大?。?/td> 83K
代理商： APT100GF60B2R
APT100GF60B2R/LR
052-6217
Rev
E
6-2002
C,
CAPACITANCE
(pF)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(VOLTS)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(AMPERES)
TC =+25°C
TJ =+150°C
SINGLE PULSE
IC = IC2
TJ = +25°C
f = 1MHz
9V
10V
8V
Cies
Cres
11V
7V
11V
10V
8V
Note:
Duty Factor D =
t1/t
2
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
t1
t2
P
DM
0.05
D=0.5
0.2
0.01
SINGLE PULSE
Coes
VGE=17, 15 & 13V
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
VGE=17, 15 & 13V
TC=-55°C
TC=+150°C
0.1
OPERATION
LIMITED
BY
VCE (SAT)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1, Typical Output Characteristics (TJ = 25°C)
Figure 2, Typical Output Characteristics (TJ = 150°C)
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3, Typical Output Characteristics @ VGE = 15V
Figure 4, Maximum Forward Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 5, Typical Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
Figure 6, Gate Charges vs Gate-To-Emitter Voltage
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 7, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
1
10
100
600
.01
0.1
1.0
10
50
0
100
200
300
400
500
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
10
100s
1ms
10ms
0.02
200
160
120
80
40
0
80
60
40
20
0
10,000
5,000
1,000
500
100
9V
TC=+25°C
7V
200
160
120
80
40
0
200
100
10
1
20
16
12
8
4
0
VCE=300V
VCE=480V
VCE=120V
0.25
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
250sec.PulseTest
VGE =15V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT100GF60LR 100 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264
APT100GF60JRD 140 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GF60JU2 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GF60JU3 120 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT100GN60B2 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
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