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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APL5901-13KC |
| 廠商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Low IQ, Low Dropout 900mA Fixed Voltage Regulator |
| 中文描述： | 低智商，低壓差穩(wěn)壓器九〇 〇毫安固定 |
| 文件頁數(shù)： | 19/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 615K |
| 代理商： | APL5901-13KC |
Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.2 - May., 2005
APL5901/ 2
www.anpec.com.tw
19
Carrier Tape & R eel Dimensions
t
Ao
E
W
Po
P
Ko
Bo
D1
D
F
P1
Test item
Method
Description
SOLDERABILITY
HOLT
PCT
TST
ESD
Latch-Up
MIL-STD-883D-2003
MIL-STD-883D-1005.7
JESD-22-B,A102
MIL-STD-883D-1011.9
MIL-STD-883D-3015.7
JESD 78
245
°
C, 5 SEC
1000 Hrs Bias @125
°
C
168 Hrs, 100
%
RH, 121
°
C
-65
°
C~150
°
C, 200 Cycles
VHBM > 2KV, VMM > 200V
10ms, 1
tr
> 100mA
R eliability Test Prog ram
Table 1. SnPb Entectic Process – Package Peak Reflow Temperatures
Package Thickness
Volume mm
3
<350
240 +0/-5
°
C
225 +0/-5
°
C
Volume mm
3
3
350
225 +0/-5
°
C
225 +0/-5
°
C
<2.5 mm
≥
2.5 mm
Table 2. Pb-free Process – Package Classification Reflow Temperatures
Package Thickness
Volume mm
3
<350
<1.6 mm
260 +0
°
C*
1.6 mm – 2.5 mm
260 +0
°
C*
≥
2.5 mm
250 +0
°
C*
*Tolerance: The device manufacturer/supplier
shall
assure process compatibility up to and
including the stated classification temperature (this means Peak reflow temperature +0
°
C.
For example 260
°
C+0
°
C) at the rated MSL level.
Volume mm
3
350-2000
260 +0
°
C*
250 +0
°
C*
245 +0
°
C*
Volume mm
3
>2000
260 +0
°
C*
245 +0
°
C*
245 +0
°
C*
Classification R eflow Profiles( Cont.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APL5901-13VC | Low IQ, Low Dropout 900mA Fixed Voltage Regulator |
| APL5901-14DC | Low IQ, Low Dropout 900mA Fixed Voltage Regulator |
| APL5901-14KC | Low IQ, Low Dropout 900mA Fixed Voltage Regulator |
| APL5901-14UC | Low IQ, Low Dropout 900mA Fixed Voltage Regulator |
| APL5901-14VC | Low IQ, Low Dropout 900mA Fixed Voltage Regulator |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APL6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| APL602B2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Volts:600V RDS(ON)0.125Ohms ID(cont):49Amps|Linear MOSFETs |
| APL602B2G | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APL602J | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
| APL602L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Volts:600V RDS(ON)0.125Ohms ID(cont):49Amps|Linear MOSFETs |
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