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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | APL5901-13KC |
| 廠商： | Anpec Electronics Corporation |
| 英文描述： | Low IQ, Low Dropout 900mA Fixed Voltage Regulator |
| 中文描述： | 低智商，低壓差穩(wěn)壓器九〇 〇毫安固定 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 18/21頁(yè) |
| 文件大小： | 615K |
| 代理商： | APL5901-13KC |
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Copyright
ANPEC Electronics Corp.
Rev. B.2 - May., 2005
APL5901/ 2
www.anpec.com.tw
18
Phy sical S pecifications
t 25 C to Peak
tp
Ramp-up
t
L
Ramp-down
ts
Preheat
Tsmax
Tsmin
T
L
T
P
25
T
Time
Critical Zone
T
L
to T
P
Terminal Material
Lead Solderability
Reflow Condition
(IR/Convection or VPR Reflow)
Solder-Plated Copper (Solder Material : 90/10 or 63/37 SnPb), 100%Sn
Meets EIA Specification RSI86-91, ANSI/J-STD-002 Category 3.
Classificatin R eflow Profiles
(mm)
Profile Feature
Sn-Pb Eutectic Assembly
Pb-Free Assembly
Average ramp-up rate
(T
L
to T
P
)
Preheat
-
Temperature Min (Tsmin)
-
Temperature Max (Tsmax)
-
Time (min to max) (ts)
Time maintained above:
-
Temperature (T
L
)
-
Time (t
L
)
Peak/Classificatioon Temperature (Tp)
Time within 5
°
C of actual
Peak Temperature (tp)
Ramp-down Rate
Time 25
°
C to Peak Temperature
Notes: All temperatures refer to topside of the package .Measured on the body surface.
3
°
C/second max.
3
°
C/second max.
100
°
C
150
°
C
60-120 seconds
150
°
C
200
°
C
60-180 seconds
183
°
C
60-150 seconds
217
°
C
60-150 seconds
See table 1
See table 2
10-30 seconds
20-40 seconds
6
°
C/second max.
6 minutes max.
6
°
C/second max.
8 minutes max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APL5901-13VC | Low IQ, Low Dropout 900mA Fixed Voltage Regulator |
| APL5901-14DC | Low IQ, Low Dropout 900mA Fixed Voltage Regulator |
| APL5901-14KC | Low IQ, Low Dropout 900mA Fixed Voltage Regulator |
| APL5901-14UC | Low IQ, Low Dropout 900mA Fixed Voltage Regulator |
| APL5901-14VC | Low IQ, Low Dropout 900mA Fixed Voltage Regulator |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| APL6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
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| APL602B2G | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| APL602J | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 43A SOT-227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> FET 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:* |
| APL602L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Volts:600V RDS(ON)0.125Ohms ID(cont):49Amps|Linear MOSFETs |
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